现在蓝宝石仍是生长HBLED结构的衬底选择。不过，采用蓝宝石生长也存在两个问题：蓝宝石没有完美的晶格匹配，光提取会因为有两个平行的反射面而减少。未来解决这两个问题
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Elaineluoy 2018-03-30 16:58:02新型LED均匀布光微结构设计和仿真
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2011 年上半年，公司实现营业收入1.82 亿元，同比增长40.27%，营业务成本为0.66 亿元，同比增长32.01%，成本增速慢于营收增速主要是由于原材料尤其是衬底材料价格下降。公司实现营业利润9875 万元，同比增长54.3%；净利润8783 万元，同比增长45.7%。
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进入2011年，蓝宝石衬底的价格水平开始回落，蓝宝石衬底的毛利率也随着下降。未来随着蓝宝石衬底产能大幅扩张，毛利率必然呈下降趋势。
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对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数, 通过大量实验, 总结出了其影响因素并提出了优化方案。结果表明, 采用粒径为40nm、低分散度的二氧化硅溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光, 可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效地提高蓝宝石表面的性能及加工效率。
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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文档中介绍了有关于LED的100个疑难解答，其中包括了LED常用名词定义、LED封装流程、LED封装工艺，大功率LED、SMD LED、发光机理、发光强度、色温、显色、外延片、衬底、芯片、LED照明、LED灯具、LED散热、LED市场、LED著名厂商、LED注意事项等与LED相关的各个方面。
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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。
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![深圳市2009年—2015年LED产业发展规划[附图表]](/uploadfile/file_thumb/file_980_cover.jpg)
深圳市已设立“深圳国家半导体照明工程产业化基地联席会议”，积极推进LED产业发展。目前，基本形成“衬底材料—外延片—芯片—封装—应用”相对完整的产业链，为产业发展奠定了良好的基础。未来5—10年，是现代LED技术产业化应用大规模展开。
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根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus2Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析，总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm ×16μm 和2μm。简述了减薄GaAs 衬底的作用，设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。
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Q：Cree 公司生产红光LED 芯片吗？ A ：Cree 公司一直以来都没有生产红光LED 芯片，只有蓝光、绿光和紫外光LED 芯片。 Q：Cree 的芯片都是碳化硅（SiC）材料为衬底的吗？ A：目前Cree 公司的小功率LED 芯片都是采用碳化硅（SiC）材料为衬底的，而EZBright 系列LED 芯片 则采用Si 衬底结构。Cree
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